Unidad semiconductora de separación de aire y gas de alta-pureza

Tecnología central

Pretratamiento ultra-limpio:"Filtración en tres etapas + adsorción dual + desoxigenación catalítica": los filtros ULPA y los tamices moleculares de alta -temperatura eliminan el agua (punto de rocío inferior o igual a -90 grados) y el CO₂ (inferior o igual a 0,01 ppm), y los catalizadores de paladio eliminan el oxígeno a menos o igual a 0,1 ppm, sentando las bases para la destilación.
 

Purificación por destilación criogénica:"Cascada de múltiples-torres + empaquetamiento de alta-eficiencia": la torre principal utiliza empaquetamiento corrugado de 316L para la separación inicial con una pureza de 5N. Se agrega una torre de refinación de nitrógeno/argón para lograr una pureza final de nitrógeno de 7 N y una pureza de argón de 7,5 N, eliminando trazas de impurezas (metano menor o igual a 0,05 ppb).

 

Tratamiento post-ultra-limpio:Purificación exclusiva para evitar la contaminación secundaria: los filtros de PTFE filtran partículas mayores o iguales a 0,01 μm, las columnas de intercambio iónico reducen los iones metálicos y los recipientes de carbón activado controlan los COV a menos o iguales a 0,05 ppb.
 

Control de entrega estable:Sistema de circuito cerrado-de alta-precisión: MFC de grado semiconductor-, tuberías de grado EP-316L (Ra menor o igual a 0,2 μm), soldadura totalmente automatizada (tasa calificada del 100 %), compatible con SEMI F30.

 

principio de funcionamiento

 

 

 

Principio de pretratamiento compuesto de varias etapas

Un vínculo de tres-etapas de "filtración + adsorción + catálisis": los filtros ULPA y los tamices moleculares de alta-temperatura eliminan el agua (punto de rocío menor o igual a -90 grados) y el CO₂ (menor o igual a 0,01 ppm), mientras que los catalizadores de paladio eliminan el oxígeno a menos o igual a 0,1 ppm, sentando las bases para una alta pureza.

 

 

Principio de separación fraccionada y destilación en frío-profunda

Aprovechando las diferencias de punto de ebullición entre el oxígeno, el nitrógeno y el argón, se utilizan varias columnas en serie para la purificación: la columna principal, con relleno de 316L, logra una separación inicial a 5N; la columna de refinación de nitrógeno/argón (-196 grados) elimina trazas de impurezas y, en última instancia, logra concentraciones de nitrógeno de 7 N y concentraciones de argón de 7,5 N (metano inferior o igual a 0,05 ppb).

 

 

Principio de prevención de la contaminación ultra-limpia tras-tratamiento

La purificación patentada previene la contaminación secundaria: los filtros de PTFE, las columnas de intercambio iónico reducen los iones metálicos (menos o igual a 0,01 ppb) y los recipientes de carbón activado controlan los COV a menos o igual a 0,05 ppb, lo que garantiza la limpieza del gas.

 

 

Principio de control de transporte de bucle cerrado-de alta-precisión-

"Control de alta-precisión + tuberías limpias": las tuberías de grado semiconductor-MFC y 316L EP-(Ra inferior o igual a 0,2 μm) se sueldan de forma totalmente automática para garantizar un transporte estable y una pureza sin disminución.

 

1. ¿Se puede adaptar la pureza del gas producido por este equipo a los requisitos de diferentes procesos de semiconductores?

Podemos personalizar soluciones de pureza según los requisitos de proceso específicos. Al ajustar el proceso de la torre de refinación y los módulos de pos-procesamiento, podemos lograr una producción estable que cumpla con los requisitos de los procesos de 14 nm. Los gases de alta-pureza para procesos avanzados, incluidos los siguientes, se pueden optimizar para futuras actualizaciones de procesos sin requerir un reemplazo completo del equipo.
 

2. ¿Cómo podemos prevenir la contaminación secundaria por gases durante la operación del equipo? La producción de semiconductores exige niveles de limpieza extremadamente altos.

Esto se garantiza de dos maneras: en primer lugar, un sistema de postratamiento ultra-limpio- exclusivo elimina partículas diminutas e iones metálicos mediante procesos como la ultrafiltración y el intercambio iónico. En segundo lugar, el proceso de entrega utiliza materiales de tubería especializados y técnicas de soldadura optimizadas para minimizar la adsorción de impurezas en las paredes de la tubería, evitando así la contaminación secundaria de gases durante todo el proceso.
 

3. Durante el funcionamiento del equipo, el flujo de gas y las fluctuaciones de presión pueden afectar el procesamiento de semiconductores. ¿Cómo podemos garantizar parámetros estables?

Un sistema de control de bucle cerrado-de alta-precisión-, junto con un controlador de flujo profesional para ajuste de parámetros-en tiempo real y un diseño de tubería optimizado, controla eficazmente las fluctuaciones de flujo y presión, lo que garantiza parámetros de suministro de gas estables que cumplen con los requisitos de precisión de los procesos de semiconductores.
 

4. ¿Es complejo el mantenimiento de los equipos? ¿El mantenimiento afectará el funcionamiento continuo de la línea de producción de semiconductores?

El proceso de mantenimiento simplificado permite alertar tempranamente del mantenimiento de los componentes principales a través del monitoreo en línea. El sistema también admite "prefabricación fuera de línea + conexión en línea". Con un modelo de mantenimiento integral, el mantenimiento crítico solo requiere un breve tiempo de inactividad y se desarrollará un plan de suministro de gas temporal para minimizar las interrupciones en la línea de producción.

5. Si la fábrica de semiconductores amplía su capacidad en el futuro, ¿se podrán ampliar los equipos existentes? ¿Es difícil esta expansión?

El equipo tiene puertos de expansión-incorporados. La ampliación de capacidad sólo requiere la adición de los correspondientes módulos de refinación y componentes de transporte, sin desmontar el sistema de destilación central. Antes de la expansión se realizan cálculos detallados del proceso y prefabricación, lo que resulta en un corto período de construcción en el sitio-y una complejidad mínima, lo que permite una rápida adaptación a las necesidades de crecimiento de capacidad.

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